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NDS0605
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.430 | CNY12.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.430 (CNY2.7459) |
| 50+ | CNY1.990 (CNY2.2487) |
| 100+ | CNY1.550 (CNY1.7515) |
| 500+ | CNY0.838 (CNY0.9469) |
| 1500+ | CNY0.822 (CNY0.9289) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NDS0605
库存编号
复卷9846352RL
切割卷带9846352
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续180mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散360mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
NDS0605是一款P沟道增强模式FET, 采用Fairchild高单元密度DMOS技术生产。这种高密度技术可以将导通电阻降至最低, 并提供坚固可靠的性能, 以及快速开关能力。适用于需要180mA DC的应用中, 并且可以提供高达1A的电流。该产品适合需要低电流高压侧开关的应用。
- 压控P通道小信号开关
- 高密度单元设计, 低RDS (ON)
- 高饱和电流
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
180mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033