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NDS352AP
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NDS352AP
库存编号2438489
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续900mA
漏源接通状态电阻0.3ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NDS352AP is a P-channel Logic Level Enhancement Mode Power Field Effect Transistor produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device is particularly suited for low voltage applications where fast high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
900mA
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001