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NSM4002MR6T1G
双极晶体管阵列, 双NPN, 45 V, 500 mA, 500 µW
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 500+ | CNY0.942 (CNY1.0645) |
| 3000+ | CNY0.800 (CNY0.904) |
| 9000+ | CNY0.688 (CNY0.7774) |
| 24000+ | CNY0.668 (CNY0.7548) |
| 45000+ | CNY0.647 (CNY0.7311) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NSM4002MR6T1G
库存编号2452045RL
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射电压, Vceo45V
集电极发射极电压最大值NPN45V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极直流电流500mA
功耗 Pd500µW
连续集电极电流NPN500mA
连续集电极电流NPN-
直流电流增益, hFE40hFE
耗散功率NPN500µW
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN40hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型SC-74
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN300MHz
转换频率NPN-
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NSM4002MR6T1G is a dual NPN Bipolar Transistor Array for driving LEDs. The device contains a single two NPN transistors. The base of the Q2 NPN transistor is internally connected to the collector of the Q1 NPN transistor. It is designed to replace a discrete solution that is common for providing a constant current by integrating these two components into a single device. It is ideal for surface-mount applications in space constrained applications.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
注释
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值NPN
45V
集电极直流电流
500mA
连续集电极电流NPN
500mA
直流电流增益, hFE
40hFE
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
集电极发射电压, Vceo
45V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
功耗 Pd
500µW
连续集电极电流NPN
-
耗散功率NPN
500µW
直流电流增益hFE最小值NPN
40hFE
晶体管封装类型
SC-74
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
300MHz
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001588