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NSS60600MZ4T1G
单晶体管 双极, PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NSS60600MZ4T1G
库存编号2317597
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压60V
连续集电极电流6A
功率耗散2W
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
针脚数4引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值70hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The NSS60600MZ4T1G is a 6A PNP Bipolar Transistor ideal for high speed switching applications where power saving is a concern. It is a combination of low saturation voltage and high gain.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Minimized power loss
- High DC current gain
- Very low current requirements
- High current-gain bandwidth product
- Ideal for high frequency designs
- Superior gain linearity
- Minimal distortion
- Halogen-free
- AECQ101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
6A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
70hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
60V
功率耗散
2W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000295