打印页面
NTBG040N120SC1
碳化硅场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 60A, TO-263高电压
54 有货
需要更多？
54 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 800+ | CNY155.370 (CNY175.5681) |
包装规格：每个
最低: 800
多件: 800
CNY124,296.00 (CNY140,454.48 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG040N120SC1
库存编号4130209
技术数据表
MOSFET模块配置Single
通道类型N Channel
电流, Id 连续60A
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散357W
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
技术规格
MOSFET模块配置
Single
电流, Id 连续
60A
阈值栅源电压最大值
3V
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
通道类型
N Channel
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
357W
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814