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100+ | CNY98.670 (CNY111.4971) |
500+ | CNY88.460 (CNY99.9598) |
800+ | CNY81.660 (CNY92.2758) |
1600+ | CNY76.220 (CNY86.1286) |
2400+ | CNY72.130 (CNY81.5069) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG070N120M3S
库存编号4244650RL
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置-
通道类型N通道
电流, Id 连续37A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.091ohm
晶体管封装类型D2PAK-7L
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.4V
功率耗散252W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
37A
漏源接通状态电阻
0.091ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.4V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
D2PAK-7L
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
252W
产品范围
EliteSiC Series
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001