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NTBG080N120SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY59.830 (CNY67.6079) |
| 50+ | CNY58.640 (CNY66.2632) |
| 100+ | CNY57.440 (CNY64.9072) |
| 250+ | CNY56.300 (CNY63.619) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG080N120SC1
库存编号3528496RL
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续30A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-263HV (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散179W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
30A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
3V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
179W
产品范围
EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0034