打印页面
NTBGS004N10G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
1,520 有货
需要更多？
51 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
1469 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY45.790 (CNY51.7427) |
| 10+ | CNY34.220 (CNY38.6686) |
| 100+ | CNY25.470 (CNY28.7811) |
| 500+ | CNY23.680 (CNY26.7584) |
| 1000+ | CNY23.030 (CNY26.0239) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY45.79 (CNY51.74 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBGS004N10G
库存编号3766199
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续203A
漏源接通状态电阻3000µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散340W
针脚数7引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
203A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
340W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
3000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
7引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004