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NTBGS3D5N06C
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 127 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY27.580 (CNY31.1654) |
| 10+ | CNY23.150 (CNY26.1595) |
| 100+ | CNY18.720 (CNY21.1536) |
| 500+ | CNY16.310 (CNY18.4303) |
| 800+ | CNY14.940 (CNY16.8822) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBGS3D5N06C
库存编号3677715
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续127A
漏源接通状态电阻3100µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散115W
针脚数7引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
127A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
115W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
3100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
7引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002