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NTD20N03L27T4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 20 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTD20N03L27T4G
库存编号2317623
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续20A
漏源接通状态电阻0.027ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散74W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NTD20N03L27T4G is a N-channel logic level vertical general purpose Power MOSFET provides the best of design in a power package. Avalanche energy issues make this part is an ideal design. The drain-to-source diode has an ideal fast but soft recovery.
- Ultra-low RDS (ON), single base, advanced technology
- Diode is characterized for use in bridge circuits
- IDSS and VDS (ON) Specified at elevated temperatures
- High avalanche energy specified
- ESD JEDAC rated HBM Class 1, MM Class A, CDM Class 0
- -55 to 175°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
74W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.027ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000446