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NTD20N06LT4G
场效应管, N沟道, MOSFET, 60V, 20A, D-PAK
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTD20N06LT4G
库存编号1705752
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续20A
漏源接通状态电阻0.039ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散60W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)Lead
NTD20N06LT4G 的替代之选
找到 2 件产品
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
60W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.039ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000459