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NTE4151PT1G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.190 (CNY1.3447) |
| 50+ | CNY1.110 (CNY1.2543) |
| 100+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
| 500+ | CNY0.915 (CNY1.0339) |
| 1500+ | CNY0.897 (CNY1.0136) |
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最低: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTE4151PT1G
库存编号2845376
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续760mA
漏源接通状态电阻0.36ohm
晶体管封装类型SC-89
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散313mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
760mA
晶体管封装类型
SC-89
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
313mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.36ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536