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| 5+ | CNY328.750 (CNY371.4875) |
| 10+ | CNY309.270 (CNY349.4751) |
| 50+ | CNY287.360 (CNY324.7168) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTHL020N120SC1
库存编号3367855
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续103A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.02ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.7V
功率耗散535W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
103A
漏源接通状态电阻
0.02ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.7V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
535W
产品范围
EliteSiC Series
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002