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NTLJF3117PT1G
功率场效应管, MOSFET, FETKY, P通道, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, 表面安装
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切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.880 (CNY6.6444) |
| 10+ | CNY3.640 (CNY4.1132) |
| 100+ | CNY2.360 (CNY2.6668) |
| 500+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
| 1000+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 5000+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTLJF3117PT1G
库存编号
复卷3368850RL
切割卷带3368850
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续3.3A
漏源接通状态电阻0.075ohm
晶体管封装类型WDFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值700mV
功率耗散1.5W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.3A
晶体管封装类型
WDFN
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.075ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004