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NTMFS011N15MC
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 78 A, 9000 µohm, PQFN, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS011N15MC
库存编号3528504RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续78A
漏源接通状态电阻9000µohm
晶体管封装类型PQFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.35V
功率耗散147W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
NTMFS011N15MC 是一款 N 沟道功率 MOSFET。典型应用包括同步整流、AC-DC 和 DC-DC 电源、AC-DC 适配器（USB PD）SR、负载开关。
- 占地面积小（5 x 6mm），设计紧凑
- 低 RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低QG和电容, 降低驱动器损耗
- 漏源击穿电压为 150V
- 栅极至源极电压为 ±20V
- 在TA = 25°C 时，连续漏极电流为 10.7A
- 在TA = 25°C 时，功率耗散为 2.7W
- 工作结温和存储温度范围为 -55 至 +150°C
- PQFN8封装
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
78A
晶体管封装类型
PQFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
147W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
9000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.35V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0034