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NTMFS1D1N04XMT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY14.270 (CNY16.1251) |
| 100+ | CNY10.390 (CNY11.7407) |
| 500+ | CNY9.780 (CNY11.0514) |
| 1500+ | CNY9.150 (CNY10.3395) |
| 3000+ | CNY8.540 (CNY9.6502) |
| 4500+ | CNY7.920 (CNY8.9496) |
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
233A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.00105ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
5引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001