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NTMFS3D1N04XMT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 83 A, 3100 µohm, DFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.690 (CNY9.8197) |
| 10+ | CNY5.880 (CNY6.6444) |
| 100+ | CNY4.000 (CNY4.520) |
| 500+ | CNY3.310 (CNY3.7403) |
| 1000+ | CNY2.830 (CNY3.1979) |
| 5000+ | CNY2.350 (CNY2.6555) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
83A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
39W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
3100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
5引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001