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NTMFS5C426NLT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.040 (CNY13.6052) |
| 10+ | CNY8.230 (CNY9.2999) |
| 100+ | CNY5.850 (CNY6.6105) |
| 500+ | CNY4.640 (CNY5.2432) |
| 1000+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 5000+ | CNY3.440 (CNY3.8872) |
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最低: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS5C426NLT1G
库存编号3766211
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续237A
漏源接通状态电阻1000µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散128W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
237A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
128W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004