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NTMFS6H824NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.410 (CNY15.1533) |
| 10+ | CNY10.060 (CNY11.3678) |
| 100+ | CNY7.310 (CNY8.2603) |
| 500+ | CNY6.280 (CNY7.0964) |
| 1000+ | CNY5.820 (CNY6.5766) |
| 5000+ | CNY5.360 (CNY6.0568) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS6H824NT1G
库存编号3929795
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续103A
漏源接通状态电阻3700µohm
晶体管封装类型DFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散115W
针脚数5引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
103A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
115W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
3700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001