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NTMT045N065SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMT045N065SC1
库存编号4079792RL
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续39A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.033ohm
晶体管封装类型TDFN
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.3V
功率耗散187W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
39A
漏源接通状态电阻
0.033ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
4.3V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TDFN
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
187W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001