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NTR0202PLT1G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 500+ | CNY1.130 (CNY1.2769) |
| 1500+ | CNY1.110 (CNY1.2543) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTR0202PLT1G
库存编号1431301RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续400mA
漏源接通状态电阻0.8ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.9V
功率耗散225mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NTR0202PLT1G is a P-channel Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -0.4A continuous drain current. It is suitable for DC-to-DC converters, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Miniature surface-mount package saves board space
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
400mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
225mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.8ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008