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NTS4101PT1G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 3000+ | CNY0.616 (CNY0.6961) |
| 7500+ | CNY0.584 (CNY0.6599) |
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最低: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTS4101PT1G
库存编号1453617
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.37A
漏源接通状态电阻0.12ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值640mV
功率耗散329mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NTS4101PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -1.37A continuous drain current. It is suitable for use in high side load switch, charging circuit, single cell battery applications such as cell phones, digital cameras and PDAs.
- Leading -20V Trench for low RDS (ON)
- -2.5V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint (2 x 2mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1.37A
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
329mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
640mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005