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NTTFS005N04CTAG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 69 A, 5600 µohm, WDFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.790 (CNY7.6727) |
| 10+ | CNY4.470 (CNY5.0511) |
| 100+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
| 500+ | CNY2.740 (CNY3.0962) |
| 1000+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 5000+ | CNY1.500 (CNY1.695) |
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最低: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTTFS005N04CTAG
库存编号3018976
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续69A
漏源接通状态电阻5600µohm
晶体管封装类型WDFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散50W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
69A
晶体管封装类型
WDFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
50W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
5600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0007