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NUP4201DR2G
静电保护装置, 25 V, SOIC, 8 引脚, 5 V
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NUP4201DR2G
库存编号1703035RL
技术数据表
钳位电压 最大25V
二极管封装类型SOIC
TVS极性单向
针脚数8引脚
反向关断电压5V
工作电压5V
最大钳位电压25V
功耗 Pd-
最小击穿电压6V
最大击穿电压6V
峰值脉冲功率耗散500W
合规-
产品范围-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NUP4201DR2G is a low capacitance surface-mount TVS Diode for high-speed data interfaces. It is designed to protect equipment attached to high speed communication lines from ESD, EFT and lightning.
- 500W Peak power (8 x 20μsec waveform)
- IEC 61000-4-2 (ESD) 15kV (air) 8kV (contact)
- IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
- IEC 61000-4-5 (lightning) 25A (8/20μs)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
钳位电压 最大
25V
TVS极性
单向
反向关断电压
5V
最大钳位电压
25V
最小击穿电压
6V
峰值脉冲功率耗散
500W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
二极管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
工作电压
5V
功耗 Pd
-
最大击穿电压
6V
合规
-
汽车质量标准
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000195