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NVH4L080N120SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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| 10+ | CNY115.060 (CNY130.0178) |
| 50+ | CNY106.910 (CNY120.8083) |
| 100+ | CNY99.660 (CNY112.6158) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVH4L080N120SC1
库存编号3464024
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续29A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.75V
功率耗散170W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
29A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
2.75V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
170W
产品范围
EliteSiC Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009684