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NVHL080N120SC1A
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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| 5+ | CNY88.210 (CNY99.6773) |
| 10+ | CNY82.990 (CNY93.7787) |
| 50+ | CNY77.110 (CNY87.1343) |
| 100+ | CNY71.880 (CNY81.2244) |
| 250+ | CNY69.260 (CNY78.2638) |
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多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVHL080N120SC1A
库存编号3528518
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续31A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.7V
功率耗散178W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
31A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.7V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
178W
产品范围
EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005