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NVJD4401NT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY2.840 (CNY3.2092) |
| 500+ | CNY2.190 (CNY2.4747) |
| 1000+ | CNY1.970 (CNY2.2261) |
| 5000+ | CNY1.690 (CNY1.9097) |
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多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVJD4401NT1G
库存编号2929791RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续630mA
在电阻RDS（上）0.29ohm
连续漏极电流 Id N沟道630mA
连续漏极电流 Id P沟道630mA
漏源通态电阻N沟道0.375ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值920mV
针脚数6引脚
功耗 Pd550mW
耗散功率N沟道550mW
耗散功率P沟道550mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.29ohm
连续漏极电流 Id P沟道
630mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
920mV
功耗 Pd
550mW
耗散功率P沟道
550mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
630mA
连续漏极电流 Id N沟道
630mA
漏源通态电阻N沟道
0.375ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
550mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003