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NVMFD5C650NLWFT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFD5C650NLWFT1G
库存编号2835607RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续111A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道111A
在电阻RDS（上）0.0035ohm
连续漏极电流 Id P沟道111A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0035ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0035ohm
晶体管封装类型DFN
阈值栅源电压最大值2.2V
针脚数8引脚
功耗 Pd125W
耗散功率N沟道125W
耗散功率P沟道125W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
111A
连续漏极电流 Id N沟道
111A
连续漏极电流 Id P沟道
111A
漏源通态电阻N沟道
0.0035ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0035ohm
阈值栅源电压最大值
2.2V
功耗 Pd
125W
耗散功率P沟道
125W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.0035ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
DFN
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
125W
工作温度最高值
175°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012