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NVMFD5C650NLWFT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY20.470 (CNY23.1311) |
| 500+ | CNY20.030 (CNY22.6339) |
| 1500+ | CNY19.580 (CNY22.1254) |
| 3000+ | CNY19.140 (CNY21.6282) |
| 4500+ | CNY18.690 (CNY21.1197) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFD5C650NLWFT1G
库存编号2835607RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续111A
连续漏极电流 Id N沟道111A
在电阻RDS（上）0.0035ohm
连续漏极电流 Id P沟道111A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0035ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0035ohm
晶体管封装类型DFN
阈值栅源电压最大值2.2V
功耗 Pd125W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道125W
耗散功率P沟道125W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
111A
连续漏极电流 Id P沟道
111A
漏源通态电阻N沟道
0.0035ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0035ohm
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
125W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
111A
在电阻RDS（上）
0.0035ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
DFN
功耗 Pd
125W
耗散功率N沟道
125W
工作温度最高值
175°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012