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NVMFD6H852NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.0255 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFD6H852NLT1G
库存编号3236775RL
技术数据表
晶体管极性双N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
电流, Id 连续25A
连续漏极电流 Id N沟道25A
在电阻RDS（上）0.021ohm
连续漏极电流 Id P沟道25A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0255ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型DFN
阈值栅源电压最大值2V
针脚数8引脚
功耗 Pd38W
耗散功率N沟道38W
耗散功率P沟道38W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
双N沟道
漏源电压, Vds
80V
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
25A
连续漏极电流 Id P沟道
25A
漏源通态电阻N沟道
0.0255ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
38W
耗散功率P沟道
38W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
80V
电流, Id 连续
25A
在电阻RDS（上）
0.021ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
DFN
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
38W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0007