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NVMFS5113PLT1G.
场效应管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -60V, -64A, DFN5
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY21.590 (CNY24.3967) |
| 10+ | CNY16.660 (CNY18.8258) |
| 100+ | CNY12.100 (CNY13.673) |
| 500+ | CNY9.870 (CNY11.1531) |
| 1500+ | CNY9.040 (CNY10.2152) |
| 3000+ | CNY9.010 (CNY10.1813) |
| 4500+ | CNY8.980 (CNY10.1474) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFS5113PLT1G.
库存编号2808758
技术数据表
通道类型P Channel
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续64A
漏源接通状态电阻0.0105ohm
晶体管封装类型DFN
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散150W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)Lead
技术规格
通道类型
P Channel
电流, Id 连续
64A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0105ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
技术文档 (1)
NVMFS5113PLT1G. 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:Lead
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000171