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NVMFS6H801NT1G
场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 157A, 175度 C, 166W
不再進貨
技术规格
电流, Id 连续
157A
晶体管封装类型
DFN
工作温度最高值
175°C
漏源接通状态电阻
0.0028ohm
Rds(on)测试电压
10V
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.000156