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QRD1114
反光光电断路器, 光电晶体管, 通孔安装, 1.27 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.7 Vf
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|---|---|
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| 10+ | CNY7.550 (CNY8.5315) |
| 25+ | CNY7.410 (CNY8.3733) |
| 50+ | CNY7.260 (CNY8.2038) |
| 100+ | CNY7.110 (CNY8.0343) |
| 500+ | CNY6.530 (CNY7.3789) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号QRD1114
库存编号1467858
技术数据表
感应方式反射
感应距离/槽宽-
电源电压最小值-
感应距离1.27mm
正向电流 If50mA
电源电压最大值-
反向电压Vr5V
传感器外壳/封装模块
集电极发射电压, Vceo30V
最大集电极发射电压30V
正向电压1.7V
集电极电流 IC 最大值1mA
传感器输出类型光晶体管
IP密封等级-
传感器安装通孔安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The QRD1114 is a Reflective Object Sensor consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon photodarlington mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face of the QRD1114. The photodarlington responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector.
- Phototransistor Output
- No Contact Surface Sensing
- Unfocused for Sensing Diffused Surfaces
- Daylight Filter on Sensor
技术规格
感应方式
反射
电源电压最小值
-
正向电流 If
50mA
反向电压Vr
5V
集电极发射电压, Vceo
30V
正向电压
1.7V
传感器输出类型
光晶体管
传感器安装
通孔安装
工作温度最高值
85°C
合规
-
感应距离/槽宽
-
感应距离
1.27mm
电源电压最大值
-
传感器外壳/封装
模块
最大集电极发射电压
30V
集电极电流 IC 最大值
1mA
IP密封等级
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000318