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UF3C120080B7S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY136.820 (CNY154.6066) |
| 5+ | CNY117.100 (CNY132.323) |
| 10+ | CNY97.380 (CNY110.0394) |
| 50+ | CNY94.610 (CNY106.9093) |
| 100+ | CNY91.830 (CNY103.7679) |
| 250+ | CNY90.000 (CNY101.700) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UF3C120080B7S
库存编号4221992
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续28.8A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻85mohm
晶体管封装类型D2PAK
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值6V
功率耗散190W
工作温度最高值175°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
28.8A
漏源接通状态电阻
85mohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
6V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
D2PAK
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
190W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001