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UF3SC120016K3S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
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产品概述
UF3SC120016K3S 是一款基于独特 "级联 "电路配置的 SiC FET 器件，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 "直接替代品"。该器件采用 TO-247-3L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，因此在与推荐的 RC 缓冲器配合使用时，非常适合开关电感负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。典型应用包括电动汽车充电、光伏逆变器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动器和感应加热。
- 典型导通电阻 RDS(on) 为 16 mohm（VGS=12V，ID=50A，TJ=25°C）
- 最高工作温度为 175°C
- 出色的反向恢复能力，低栅极电荷
- 低本征电容、ESD 保护、HBM 2 级
- 开关损耗极低（在典型工作条件下所需的 RC 缓冲损耗可忽略不计）
- 漏源电压为 1200V
- 在TC = 25°C 时，连续漏极电流为 107A
- 工作和存储温度范围为 -55 至 175°C
- 在 TC = 25°C 时，脉冲漏极电流为 350A
- 在TC = 25°C 时，功率耗散为 517W
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
107A
漏源接通状态电阻
0.016ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
4.7V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
517W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0062