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AQY214EHA
继电器, MOSFET, 400 V, 120 mA, 35Ω, SPST常开
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| 5+ | CNY25.720 (CNY29.0636) |
| 10+ | CNY21.310 (CNY24.0803) |
| 20+ | CNY19.100 (CNY21.583) |
| 50+ | CNY17.630 (CNY19.9219) |
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产品信息
制造商PANASONIC
制造商产品编号AQY214EHA
库存编号2095724
产品范围PhotoMOS AQY21
技术数据表
触点类型SPST-NO (1 Form A)
负载类型AC / DC
最大负载电压400V
负载电流120mA
MOSFET继电器封装类型DIP-4
继电器安装表面安装
继电器端子鸥翼
通态电阻最大值35ohm
隔离电压5kV
I/O电容类型0.8pF
关闭状态泄漏电流(最大)1µA
产品范围PhotoMOS AQY21
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The AQY214EHA is a high-performance SMD MOSFET Relay with low-level OFF-state leakage current of maximum 1mA. The reinforced insulation of 5000V is more than 0.4mm internal insulation distance between inputs and outputs. The PhotoMOS relay features extremely low closed-circuit offset voltage to enable control of low-level analogue signals without distortion.
- High sensitivity and low ON-resistance
- AC/DC dual use
- -40 to 85°C Operating temperature range
技术规格
触点类型
SPST-NO (1 Form A)
最大负载电压
400V
MOSFET继电器封装类型
DIP-4
继电器端子
鸥翼
隔离电压
5kV
关闭状态泄漏电流(最大)
1µA
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
负载类型
AC / DC
负载电流
120mA
继电器安装
表面安装
通态电阻最大值
35ohm
I/O电容类型
0.8pF
产品范围
PhotoMOS AQY21
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85364900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000192