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R-REF01-HB
电源附件，半桥栅极驱动电源，1kV，TO247 / TO247-4L
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产品信息
制造商RECOM POWER
制造商产品编号R-REF01-HB
库存编号3255705
技术数据表
硅芯制造商Silicon Laboratories
硅芯号SI8273
套件应用类型驱动器 - 桥式
应用系统子类型IGBT/MOSFET栅极驱动器
内核架构-
内核子架构-
硅芯系列号-
套件内容参考设计板 R-REF01-HB
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
R-REF01-HB是一款半桥栅极驱动电源参考设计（RD）。它包含一个适用于高达1KV电压的半桥电路，以及一个完全隔离的驱动级，该驱动级为低侧和高侧开关晶体管提供隔离电源。 该设计既适用于单通道栅极/驱动供电电压低至+4V的场景，也支持双通道栅极驱动供电电压高达+20V/-5V（最大30V）且无最大占空比限制的应用。R-REF01-HB设计套件包含三款R12P22005D、 R12P21503D、R12P21509D及R12P06S DC/DC模块各一枚。
- 针对超高开关速度进行优化
- 2.5KV 连续输入至输出隔离
- 高栅极驱动电流（源极和漏极高达10A）
- TTL兼容信号输入
- 单一15V至42V电源
- 直通保护
- 独立的高压侧和低压侧开关输入，适用于不同拓扑结构
- 通过65KV/µs共模电压（Vcommon mode=1KV）认证
- 静电敏感
技术规格
硅芯制造商
Silicon Laboratories
套件应用类型
驱动器 - 桥式
内核架构
-
硅芯系列号
-
产品范围
-
硅芯号
SI8273
应用系统子类型
IGBT/MOSFET栅极驱动器
内核子架构
-
套件内容
参考设计板 R-REF01-HB
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0801