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71V016SA12PHG8
SRAM, 异步SRAM, 1 Mbit, 64K x 16位, TSOP-II, 44 引脚, 3.15 V
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|---|---|
| 100+ | CNY19.890 (CNY22.4757) |
| 250+ | CNY18.570 (CNY20.9841) |
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| 1000+ | CNY15.910 (CNY17.9783) |
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产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号71V016SA12PHG8
库存编号3263064RL
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储器容量1Mbit
SRAM 内存配置64K x 16位
存储密度1Mbit
记忆配置64K x 16位
电源电压范围3V 至 3.6V
封装类型TSOP-II
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
存取时间12ns
电源电压最小值3.15V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3.3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值0°C
工作温度最高值70°C
产品范围-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
SRAM 内存配置
64K x 16位
记忆配置
64K x 16位
封装类型
TSOP-II
针脚数
44引脚
电源电压最小值
3.15V
额定电源电压
3.3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
70°C
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储器容量
1Mbit
存储密度
1Mbit
电源电压范围
3V 至 3.6V
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
存取时间
12ns
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001