打印页面
HIP4086ABZT
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 7V至15V电源, 500mA输出, 75ns延迟, SOIC-24
产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号HIP4086ABZT
库存编号2983593RL
技术数据表
通道数6放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数24引脚
驱动器封装类型SOIC
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型反相, 非反相
拉电流500mA
灌电流500mA
电源电压最小值7V
电源电压最大值15V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟65ns
输出延迟75ns
产品范围-
合规-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
HIP4086ABZT 是一款 80V、500mA、3 相 MOSFET 驱动器。它专门用于 PWM 电机控制。该驱动器具有灵活的输入协议，可驱动各种可能的开关组合。用户甚至可以覆盖开关磁阻应用的击穿保护。它具有宽范围的可编程死区时间（0.5µs 至 4.5µs），因此非常适合电机驱动器通常使用的低频（最高 100KHz）。为确保高压侧驱动器启动电容器在开启前充满电，在首次施加 VDD 时会激活一个可编程自举刷新脉冲。典型应用包括无刷电机 (BLDC)、三相交流电机、开关磁阻电机驱动器、电池供电汽车和电池供电工具。
- 以三相桥式配置独立驱动 6 个 N 沟道 MOSFET
- 自举电源最大电压可达 95VDC，偏置电源电压为 7V 至 15V
- 自举和可选充电泵可维持高压侧驱动器偏置电压
- 可编程启动刷新时间
- 驱动 1000pF 负载，典型上升时间为 20ns，下降时间为 10ns
- 可编程欠压设定点
- 低电平有效时，VDD 静态电流为 2.8mA（典型值）xHI = 5V，xLI = 5V，TJ = +25°C
- 24 Ld SOIC 封装
- 温度范围从-40到+125°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道数
6放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
24引脚
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
反相, 非反相
灌电流
500mA
电源电压最大值
15V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
75ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
驱动器封装类型
SOIC
芯片安装
表面安装
拉电流
500mA
电源电压最小值
7V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
65ns
产品范围
-
MSL
MSL 3 - 168小时
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001