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ISL83202IBZ
MOSFET驱动器, 半桥, 8.5V至15V电源, 1A输出, 25ns延迟, SOIC-16
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| 10+ | CNY21.170 (CNY23.9221) |
| 25+ | CNY20.000 (CNY22.600) |
| 50+ | CNY18.840 (CNY21.2892) |
| 100+ | CNY17.660 (CNY19.9558) |
| 250+ | CNY16.660 (CNY18.8258) |
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产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号ISL83202IBZ
库存编号2358206
技术数据表
通道数4放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置半桥
电源开关类型MOSFET
针脚数16引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型反相, 非反相
拉电流1A
灌电流1A
电源电压最小值8.5V
电源电压最大值15V
工作温度最小值-55°C
工作温度最高值125°C
输入延迟40ns
输出延迟25ns
产品范围-
合规-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
ISL83202IBZ是一款中频半桥FET驱动器，能够提供1A（典型值）的峰值驱动电流，旨在驱动中压应用中的高压侧和低压侧N沟道MOSFET。针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化，实现了简单而灵活的桥式设计。ISL83202的典型输入到输出传播延迟低至25ns，用户可编程的死区时间范围为0.1至4.5µs，是开关频率高达200kHz的理想选择。ISL83202的死区时间可通过一个电阻进行编程。ISL83202的四个独立的驱动器控制输入（ALI、AHI、BLI和BHI）允许驱动所有可能的开关组合，除了那些会导致击穿的情况。全局禁用输入DIS覆盖了输入控制，并使ISL83202在拉低时刷新自举电容。集成的欠压保护和击穿保护确保了系统的可靠运行。
- 在半桥或全桥配置中独立驱动4个N沟道场效应管
- 70VDC自举电源最大电压
- 在+50°C的自由空气中驱动1000pF的负载，上升和下降时间为15ns（典型值）
- 用户可在0.1至4.5µs范围内对死区时间进行编程
- DIS (禁用)拉低时, 覆盖输入控制并刷新自举电容器
- 输入逻辑阈值与5至15V逻辑电平兼容
- Shoot-Through保护
- 欠压保护
警告
静电敏感型设备, 在处理设备时请采取适当的保护措施。该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道数
4放大器
驱动配置
半桥
针脚数
16引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
1A
电源电压最小值
8.5V
工作温度最小值
-55°C
输入延迟
40ns
产品范围
-
MSL
MSL 3 - 168小时
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
反相, 非反相
灌电流
1A
电源电压最大值
15V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
25ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00014