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10+ | CNY27.060 (CNY30.5778) |
50+ | CNY22.420 (CNY25.3346) |
100+ | CNY20.110 (CNY22.7243) |
250+ | CNY18.560 (CNY20.9728) |
500+ | CNY17.330 (CNY19.5829) |
1000+ | CNY16.390 (CNY18.5207) |
2500+ | CNY16.070 (CNY18.1591) |
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产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号R1LP0108ESA-5SI#S1
库存编号4146917
技术数据表
SRAM类型异步SRAM,LPSRAM
存储密度1Mbit
记忆配置128Kword x 8位
IC 外壳 / 封装STSOP
针脚数32引脚
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压5V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
R1LP0108ESA-5SI#S1 R1LP0108E series is a low voltage 1Mbit static RAM organized as 131, 072-word by 8-bit, fabricated by Renesas’s high-performance 0. 15um CMOS and TFT technologies. The R1LP0108E series has realized higher density, higher performance and low power consumption. The R1LP0108E series is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
- Single 4.5V to 5.5V power supply
- Small stand-by current is 0.6µA (5.0V, typical)
- No clocks, no refresh
- All inputs and outputs are TTL compatible
- Easy memory expansion by CS1# and CS2
- Common data I/O
- Three-state outputs: OR-tie capability
- OE# prevents data contention on the I/O bus
- 55ns access time
- 32-pin plastic sTSOP package, -40 to +85°C temperature range
技术规格
SRAM类型
异步SRAM,LPSRAM
记忆配置
128Kword x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
1Mbit
IC 外壳 / 封装
STSOP
电源电压最小值
4.5V
额定电源电压
5V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001