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R1LV0108ESA-5SI#B1
SRAM, 异步SRAM，LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8位, STSOP, 32 引脚, 2.7 V
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| 25+ | CNY35.230 (CNY39.8099) |
| 50+ | CNY31.580 (CNY35.6854) |
| 100+ | CNY29.160 (CNY32.9508) |
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产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号R1LV0108ESA-5SI#B1
库存编号4146921
技术数据表
SRAM类型异步SRAM，LPSRAM
存储密度1Mbit
记忆配置128Kword x 8位
IC 外壳 / 封装STSOP
针脚数32引脚
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
R1LV0108ESA-5SI#B1 is a 1Mb advanced LPSRAM (128k word x 8bit). The R1LV0108E series low voltage 1-Mbit static RAM organized as 131, 072-word by 8-bit, fabricated by Renesas’s high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies. The R1LV0108E series has realized higher density, higher performance and low power consumption. The R1LV0108E series is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
- Single 2.7V to 3.6V power supply
- Small stand-by current is 0.6µA (3.0V, typical)
- No clocks, no refresh
- All inputs and outputs are TTL compatible
- Easy memory expansion by CS1# and CS2
- Common data I/O
- Three-state outputs: OR-tie capability
- OE# prevents data contention on the I/O bus
- 55ns access time
- 32-pin plastic sTSOP package, -40 to +85°C temperature range
技术规格
SRAM类型
异步SRAM，LPSRAM
记忆配置
128Kword x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
1Mbit
IC 外壳 / 封装
STSOP
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001