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TP65H030G4PWS
氮化镓 (GaN)晶体管, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TO-247, 通孔
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| 5+ | CNY105.500 (CNY119.215) |
| 10+ | CNY83.490 (CNY94.3437) |
| 50+ | CNY79.520 (CNY89.8576) |
| 100+ | CNY75.620 (CNY85.4506) |
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产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号TP65H030G4PWS
库存编号4680965
产品范围SuperGaN Series
技术数据表
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续55.7A
漏源接通状态电阻0.041ohm
栅极电荷(典型值)24.5nC
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
针脚数3引脚
产品范围SuperGaN Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.041ohm
晶体管封装类型
TO-247
针脚数
3引脚
合规
-
电流, Id 连续
55.7A
栅极电荷(典型值)
24.5nC
晶体管安装
通孔
产品范围
SuperGaN Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001