打印页面
4 有货
需要更多?
4 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY16,101.650 (CNY18,194.8645) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY16,101.65 (CNY18,194.86 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号BSM400D12P2G003
库存编号3573228
技术数据表
MOSFET模块配置半桥
通道类型双N通道
电流, Id 连续400A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻-
晶体管封装类型Module
针脚数-
Rds(on)测试电压-
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散2.45kW
工作温度最高值150°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
产品概述
BSM400D12P2G003 is a SiC power module. This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 2.3V on-state static drain-source voltage (typ, Tj=25°C, ID=400A, VGS=18V)
- 397A drain current (DC(Tc=60°C) VGS=18V)
- 4mA drain cut-off current (max, VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- 1.8V source-drain voltage (typ, VGS=0V, IS=400A, Tj=25°C)
- 38nF input capacitance (typ, VDS=10V, VGS=0V,200KHz, Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1 min, Tj = 25°C)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
400A
漏源接通状态电阻
-
针脚数
-
阈值栅源电压最大值
4V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
-
功率耗散
2.45kW
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.28