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BSM400D12P3G002
碳化硅MOSFET, 半桥, 双N通道, 400 A, 1.2 kV, Module
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9,355.050 (CNY10,571.2065) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY9,355.05 (CNY10,571.21 含税)
品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
400A
漏源接通状态电阻
-
针脚数
-
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
-
功率耗散
1.57kW
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.28