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DTB113ZCHZGT116
晶体管 双极预偏置/数字, 单个PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
| 100+ | CNY0.497 (CNY0.5616) |
| 500+ | CNY0.431 (CNY0.487) |
| 1000+ | CNY0.365 (CNY0.4124) |
| 5000+ | CNY0.355 (CNY0.4012) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号DTB113ZCHZGT116
库存编号2706730
技术数据表
数字晶体管极性单路PNP
晶体管极性单个PNP
集电极发射极电压最大值NPN-V
集电极发射电压, Vceo-50V
集电极连续电流-500mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流500mA
基极输入电阻 R11kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R20.1电阻比率
晶体管封装类型SOT-23
射频晶体管封装SOT-23
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散200mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值56hFE
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
注释
此产品可用于评估或设计. 请在计划批准此设备时联系您当地的ROHM办公室.
技术规格
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-V
集电极连续电流
-500mA
连续集电极电流
500mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
SOT-23
引脚数
3引脚
功率耗散
200mW
直流电流增益, Hfe 最小值
56hFE
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
晶体管极性
单个PNP
集电极发射电压, Vceo
-50V
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
1kohm
电阻比 R1/R2
0.1电阻比率
射频晶体管封装
SOT-23
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002