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DTC114EETL
晶体管 双极预偏置/数字, 单个NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.770 (CNY2.0001) |
| 100+ | CNY0.730 (CNY0.8249) |
| 1000+ | CNY0.498 (CNY0.5627) |
| 3000+ | CNY0.375 (CNY0.4238) |
| 9000+ | CNY0.331 (CNY0.374) |
| 24000+ | CNY0.311 (CNY0.3514) |
| 45000+ | CNY0.288 (CNY0.3254) |
| 99000+ | CNY0.274 (CNY0.3096) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号DTC114EETL
库存编号1525444
产品范围DTC114E Series
技术数据表
晶体管极性单个NPN
数字晶体管极性单路NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R2-
晶体管封装类型EMT
射频晶体管封装EMT
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散150mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益hFE最小值30hFE
产品范围DTC114E Series
合规-
汽车质量标准-
产品概述
The DTC114EETL is a 100mA NPN epitaxial planar silicon Digital Transistor with built-in resistors. The built-in bias resistor enables the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors. The bias resistor consists of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. It also has the advantage of almost completely eliminating parasitic effects.
- Only ON/OFF conditions need to be set for operation, making the circuit design easy
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
单个NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
EMT
引脚数
3引脚
功率耗散
150mW
直流电流增益hFE最小值
30hFE
合规
-
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
EMT
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
DTC114E Series
汽车质量标准
-
技术文档 (1)
DTC114EETL 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002