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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.010 (CNY1.1413) |
| 50+ | CNY0.816 (CNY0.9221) |
| 100+ | CNY0.622 (CNY0.7029) |
| 500+ | CNY0.404 (CNY0.4565) |
| 1500+ | CNY0.396 (CNY0.4475) |
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最低: 5
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号DTC114EKAT146
库存编号1680230
产品范围DTC114E Series
技术数据表
晶体管极性单个NPN
数字晶体管极性单路NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R2-
晶体管封装类型SC-59
射频晶体管封装SC-59
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散200mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值30hFE
产品范围DTC114E Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The DTC114EKAT146 is a 100mA NPN Digital Transistor with built-in bias resistor. The built-in bias resistor enables the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors.
- Only ON/OFF conditions need to be set for operation, making the circuit design easy
- PNP complement is DTA114E series
技术规格
晶体管极性
单个NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
SC-59
引脚数
3引脚
功率耗散
200mW
直流电流增益, Hfe 最小值
30hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
SC-59
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
DTC114E Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
DTC114EKAT146 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.019845