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IMH1AT110
晶体管 双极预偏置/数字, 双NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
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| 100+ | CNY1.660 (CNY1.8758) |
| 500+ | CNY1.250 (CNY1.4125) |
| 1000+ | CNY0.918 (CNY1.0373) |
| 5000+ | CNY0.735 (CNY0.8306) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号IMH1AT110
库存编号1680336
产品范围IMH1A Series
技术数据表
晶体管极性双NPN
数字晶体管极性双路 NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R122kohm
基极-发射极电阻R222kohm
电阻比 R1/R2-
晶体管封装类型SOT-457
射频晶体管封装SOT-457
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散300mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值56hFE
产品范围IMH1A Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
22kohm
晶体管封装类型
SOT-457
引脚数
6引脚
功率耗散
300mW
直流电流增益, Hfe 最小值
56hFE
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
双路 NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
基极输入电阻 R1
22kohm
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
SOT-457
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
IMH1A Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000035