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IMZ1AT108
双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
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| 100+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 500+ | CNY1.090 (CNY1.2317) |
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| 5000+ | CNY0.633 (CNY0.7153) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号IMZ1AT108
库存编号1680352
技术数据表
晶体管极性NPN, PNP
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流NPN150mA
连续集电极电流NPN150mA
耗散功率NPN300mW
耗散功率PNP300mW
直流电流增益hFE最小值NPN120hFE
直流电流增益hFE最小值PNP120hFE
晶体管封装类型SOT-457
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN180MHz
转换频率NPN140MHz
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The IMZ1AT108 is a NPN-PNP general purpose Bipolar Transistor Array with epitaxial planar silicon structure. It has mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Transistor elements are independent, eliminating interference
- Mounting area can be cut in half
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
警告
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技术规格
晶体管极性
NPN, PNP
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
连续集电极电流NPN
150mA
耗散功率PNP
300mW
直流电流增益hFE最小值PNP
120hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
140MHz
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
集电极发射极电压最大值NPN
50V
连续集电极电流NPN
150mA
耗散功率NPN
300mW
直流电流增益hFE最小值NPN
120hFE
晶体管封装类型
SOT-457
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
180MHz
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363