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QH8JB5TCR
双路场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 10+ | CNY6.090 (CNY6.8817) |
| 100+ | CNY5.010 (CNY5.6613) |
| 500+ | CNY4.340 (CNY4.9042) |
| 1000+ | CNY4.030 (CNY4.5539) |
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最低: 1
多件: 1
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品項附註
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号QH8JB5TCR
库存编号3639755
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道5A
连续漏极电流 Id P沟道5A
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.041ohm
晶体管封装类型TSMT
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
5A
漏源导通电阻P沟道
0.041ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
5A
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
TSMT
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006